lpcvdndl

國家奈米元件實驗室（NationalNanoDeviceLaboratories，簡稱NDL）位於新竹市科學...而低壓化學氣相沈積(LPCVD)模組可提供已摻雜磷的N型多晶矽，用於取代閘極金屬層 ...,在現在的商業化VLSI製程裏，多晶矽的沉積，都是以LPCVD的方式，藉著將矽.甲烷（Silane，即SiH4）經加熱後解離的方式，.如下式所示，來沉積所需要的多晶矽層。Page6 ...,微影光罩設備;C06,WetBench(class1000backend)-後段清洗蝕刻工作站,負責-劉信良代理-彭...

參考資訊如下
國家奈米元件實驗室

國家奈米元件實驗室（National Nano Device Laboratories，簡稱NDL）位於新竹市科學 ... 而低壓化學氣相沈積(LPCVD)模組可提供已摻雜磷的N型多晶矽，用於取代閘極金屬層 ...

垂直爐管技術資料

在現在的商業化VLSI 製程裏，多晶矽的沉積，都是以LPCVD 的方式，藉著將矽. 甲烷（Silane，即SiH4）經加熱後解離的方式，. 如下式所示，來沉積所需要的多晶矽層。 Page 6 ...

新竹儀器設備列表

微影光罩設備 ; C06, Wet Bench (class 1000 back end )-後段清洗蝕刻工作站, 負責-劉信良 代理-彭馨誼 ; C08, 8”CMP-8英吋化學機械研磨系統, 負責-呂如梅 代理-劉信良 ; C09 ...

水平爐管個別原理

TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) 四氧乙基矽酯或正矽酸乙酯，室溫常. 壓下為液體，使用時需適當加熱以提高其飽和蒸氣壓(約在40℃~70℃左. 右，NDL 60℃)。 因LPCVD TEOS ...

水平爐管儀器簡介

Tube01 Poly-Si/α-Si(LPCVD) 620/560 200～10,000Å. Tube02. Nitride(LPCVD). 780 30～10,000Å. Tube03 TEOS-Oxide(LPCVD). 700 30～10,000Å. Tube04 Dope-AMM(LPCVD). 560 ...

水平爐管注意事項

10、LPCVD在操作完之後，必須抽真空，確定真空度到底壓時(Pump2 沒有. Abort) ... 13、NDL上班時段(包含小夜08:00~22:00)如有空檔，學生可使用，但須先詢. 問代工製造與 ...

水平爐管考核項目清單

水平爐管. 考核項目清單. ※水平爐管各別原理. 請查詢NDL 網站內水平爐管的技術資料. 網址: http://www.ndl.org.tw/cht/doc/3-1-1-0/T3/T3_B.pdf. 簡介爐管構造.

第一章序論

由 陳宥任 著作 · 2006 — 到LPCVD的漏電和Thermal oxide比較起來是比較差，但是差距沒有像PECVD TEOS那樣 ... NDL PECVD TEOS 所形成的控制氧化層(control oxide)成的品質不太理想，未來實驗室 ...

金屬化學氣相沈積在積體電路技術的發展

LPCVD TiN皆是採用TiCI/NH,做為反應氣體。 TiCl/NH,的反應模型如圖二所示,TiCl先擴. 散及吸附至熱的晶片上,然後NH,直接與吸附. 因為Ti與其他的金屬比較起來有較高的電. 負 ...